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MPSA42D27Z

更新时间： 2024-11-04 04:36:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 127K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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MPSA42D27Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.08最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MPSA42D27Z 数据手册

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October 2009  
MPSA42 / MMBTA42 / PZTA42  
NPN High Voltage Amplifier  
Features  
• This device is designed for application as a video output to drive color CRT and other high voltage applications.  
• Sourced from Process 48.  
MPSA42  
MMBTA42  
PZTA42  
C
C
E
E
C
B
B
SOT-23  
Mark: 1D  
TO-92  
SOT-223  
E B C  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCEO  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Value  
300  
300  
6
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
VEBO  
V
IC  
Collector Current  
- Continuous  
500  
mA  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle  
operations.  
Thermal Characteristics TA=25°C unless otherwise noted  
Max  
Symbol  
Parameter  
Total Device Dissipation  
Units  
MPSA42  
*MMBTA42  
**PZTA42  
PD  
625  
5.0  
240  
1.92  
1000  
8.0  
mW  
mW/°C  
Derate above 25°C  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
515  
125  
* Device mounted on FR-4PCB 1.6” × 1.6” × 0.06”.  
** Device mounted on FR-4 PCB 36 mm × 18 mm × 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
MPSA42 / MMBTA42 / PZTA42 Rev. B2  
www.fairchildsemi.com  
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与MPSA42D27Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA42D74Z TI

获取价格

 		200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42-D81Z FAIRCHILD

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 		Transistor
MPSA42DA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | CHIP
MPSA42DB ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | CHIP
MPSA42DC ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | CHIP
MPSA42DWP ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.024 X 0.024 INC
MPSA42G ROCHESTER

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 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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