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MPSA42

更新时间： 2024-11-11 22:51:11
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管IOT
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描述
High Voltage Transistors

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by MPSA42/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol MPSA42 MPSA43  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
300  
300  
6.0  
200  
200  
6.0  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
°C/mW  
°C/mW  
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSA42  
MPSA43  
300  
200  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MPSA42  
MPSA43  
300  
200  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
6.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 200 Vdc, I = 0)  
MPSA42  
MPSA43  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 160 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
I
µAdc  
EBO  
(V  
EB  
(V  
EB  
= 6.0 Vdc, I = 0)  
MPSA42  
MPSA43  
—
—
0.1  
0.1  
C
= 4.0 Vdc, I = 0)  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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MPSA42 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		TRANSISTOR 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3
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