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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSA29RLRB
MPSA29RLRB PDF预览

MPSA29RLRB

更新时间： 2024-11-12 13:11:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
500mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPSA29RLRB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.06Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：8 pF
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

MPSA29RLRB 数据手册

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by MPSA28/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR 3  
*Motorola Preferred Device  
BASE  
2
EMITTER 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol MPSA28  
MPSA29  
100  
Unit  
Vdc  
1
2
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
80  
80  
CES  
CBO  
EBO  
V
V
100  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
12  
Vdc  
I
C
500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 100 µAdc, V  
C BE  
= 0)  
MPSA28  
MPSA29  
80  
100  
—
—
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
V
Vdc  
MPSA28  
MPSA29  
80  
100  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
12  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
MPSA28  
MPSA29  
—
—
—
—
100  
100  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 0)  
= 0)  
MPSA28  
MPSA29  
—
—
—
—
500  
500  
BE  
BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
I
—
—
100  
EBO  
EB  
C
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA29RLRF MOTOROLA

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 		500mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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