MPSA29

更新时间： 2024-11-11 22:50:23

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	133K
描述
Darlington Transistors(NPN Silicon)

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MPSA29 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	0.99	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA29 数据手册

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by MPSA28/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR 3

*Motorola Preferred Device

BASE

EMITTER 1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol MPSA28

MPSA29

100

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

CES

CBO

EBO

100

Vdc

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Vdc

500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CES

(BR)CBO

(BR)EBO

(I = 100 µAdc, V

C BE

= 0)

MPSA28

MPSA29

100

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

Vdc

MPSA28

MPSA29

100

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

nAdc

CBO

= 60 Vdc, I = 0)

MPSA28

MPSA29

—

100

= 80 Vdc, I = 0)

Collector Cutoff Current

nAdc

CES

= 60 Vdc, V

= 80 Vdc, V

= 0)

MPSA28

MPSA29

—

500

Emitter Cutoff Current

(V = 10 Vdc, I = 0)

—

100

EBO

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_{c. 1}a₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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MPSA29 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPSA29RLRP	ONSEMI	功能相似	Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA29	FAIRCHILD	功能相似	NPN Darlington Transistor

与MPSA29相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS-A29	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92
MPSA29_01	FAIRCHILD	获取价格	NPN Darlington Transistor
MPSA29-18F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
MPSA29-18FLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
MPSA29-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
MPSA29-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
MPSA29APMLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPSA29APPLEADFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
MPSA29C	VISHAY	获取价格	Transistor,
MPSA29D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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