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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSA06RLRP
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MPSA06RLRP

更新时间： 2024-11-24 04:39:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
Amplifier Transistors

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MPSA06RLRP 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.43
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz

MPSA06RLRP 数据手册

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MPSA05, MPSA06, MPSA55,  
MPSA56  
MPSA06 and MPSA56 are Preferred Devices  
Amplifier Transistors  
Voltage and Current are Negative  
for PNP Transistors  
http://onsemi.com  
NPN  
PNP  
NPN  
COLLECTOR  
3
COLLECTOR  
3
MPSA05, MPSA06  
PNP  
MPSA55, MPSA56  
2
2
BASE  
BASE  
MARKING DIAGRAM  
1
1
TO−92  
CASE 29  
STYLE 1  
EMITTER  
EMITTER  
MPS  
Axxx  
YWW  
STYLE 1  
MPSA05, MPSA06  
STYLE 1  
MPSA55, MPSA56  
MAXIMUM RATINGS  
MPSA = Specific Device Code  
1
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
xxx  
Y
= 05, 06, 55 or 56  
= Year  
2
3
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
WW  
= Work Week  
MPSA05, MPSA55  
MPSA06, MPSA56  
60  
80  
ORDERING INFORMATION  
Collector−Base Voltage  
Vdc  
MPSA05, MPSA55  
MPSA06, MPSA56  
60  
80  
Device  
MPSA05  
Package  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
TO−92  
Shipping  
5000 Units/Box  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
5000 Units/Box  
Emitter−Base Voltage  
4.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
C
500  
mAdc  
MPSA05RLRA  
MPSA05RLRM  
MPSA06  
Total Device Dissipation  
P
P
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
D
MPSA06RLRA  
MPSA06RLRM  
MPSA06RLRP  
MPSA55  
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MPSA55RLRA  
MPSA56  
2000/Tape & Reel  
5000 Units/Box  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
200  
°C/W  
θ
JA  
(Note 1.)  
MPSA56RLRA  
MPSA56RLRM  
MPSA56RLRP  
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
R
83.3  
°C/W  
θ
JC  
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
q
JA  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
October, 2001 − Rev. 1  
MPSA05/D  
12345678

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MPSA06RLRP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA06RLRM ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors
MPSA06RL1G ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA06RLRPG ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
MPSA06-S00Z FAIRCHILD

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 		Transistor
MPSA06SM DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
MPSA06SM ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
MPSA06SMTA ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
MPSA06SMTA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
MPSA06SMTC DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
MPSA06SMTC ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
MPSA06STOA ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 C
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