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MPS-A06T93 PDF预览

MPS-A06T93

更新时间： 2024-11-24 14:53:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 77K
描述
500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43, 3 PIN

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MPS-A06T93 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.05Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3/e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN/TIN COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

MPS-A06T93 数据手册

 浏览型号MPS-A06T93的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPS-A06T93的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MPS-A06T93的Datasheet PDF文件第4页 
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CEO  
C
1) BV < 80V.( I =1mA)  
2.9±0.2  
SSTA06  
+0.2  
0.95  
−0.1  
1.9±0.2  
2) Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56.  
0.45±0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0~0.1  
0.2Min.  
(3)  
!Package, marking and packaging specifications  
+0.1  
−0.06  
0.15  
+0.1  
−0.05  
0.4  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Part No.  
Packaging type  
Mark  
SSTA06  
SST3  
R1G  
MMSTA06  
SMT3  
R1G  
MPSA06  
TO-92  
-
All terminals have same dimensions  
ROHM : SST3  
MMSTA06  
T116  
T146  
T93  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
3000  
3000  
2.9±0.2  
1.9±0.2  
0.95 0.95  
+0.2  
1.1  
−0.1  
0.8±0.1  
(2)  
(1)  
0~0.1  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(3)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
80  
+0.1  
0.15  
−0.06  
+0.1  
−0.05  
0.4  
80  
V
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
4
V
All terminals have same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
I
C
0.5  
A
SSTA06, MMSTA06  
0.2  
Collector power  
dissipation  
PC  
W
0.625  
150  
-55~+150  
MPSA06  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
4.8±  
0.2  
3.7±0.2  
Tstg  
MPSA06  
0.5±  
0.1  
(1) (2) (3)  
5
+0.3  
2.5  
−
0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.45±0.1  
2.3  
ROHM : TO-92  
EIAJ : SC-43  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
4
80  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
I
I
C
=
=
100µA  
1mA  
-
0.1  
1
C
I
I
CBO  
V
V
CB  
=
=
80V  
60V  
Collector cutoff current  
µA  
CEO  
-
CE  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(ON)  
FE  
-
0.25  
1.2  
-
V
V
I
C/I  
B=100mA/10mA  
-
V
V
V
CE/I  
B=  
1V/100mA  
V
100  
100  
100  
CE  
=
=
1V, I  
1V, I  
C
=
=
10mA  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
h
-
-
CE  
C
100mA  
f
T
-
MHz  
VCE=2V, IE= −10mA, f=100MHz  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA06TPE1 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA06TPE2 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA06TRA CENTRAL

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