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MPSA06-AP-HF PDF预览

MPSA06-AP-HF

更新时间： 2024-09-16 19:49:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 283K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MPSA06-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.15最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MPSA06-AP-HF 数据手册

 浏览型号MPSA06-AP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
MPSA06  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and  
amplifier applications  
NPN Small  
Signal Transistor  
625 mW  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
•
·
As complementary type,the PNP transistor is MPSA56  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Mechanical Data  
TO-92  
A
E
ꢀ
Marking:MPSA06  
ꢀ Weight: 0.18 grams (Approx.)  
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
B
Characteristic  
Collect to Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
Value  
80  
Unit  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collect to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
80  
V
4.0  
V
Collect Current  
500  
625  
1.5  
mA  
mW  
W
Total Power Dissipation @ TA=25oC  
Total Power Dissipation @ TC=25oC  
C
Ptot  
Ptot  
Thermal Resistance Junction to  
Ambient  
oC/W  
R
JA  
200  
oC  
oC  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
TSTG  
150  
-55 to 150  
D
Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified  
Charateristic  
Symbol Min Max Unit  
Test Cond.  
E
Collector Cut-off Current  
ICBO  
100  
nA VCB=80V, IE =0  
E
B
B
C
C
Collector to Emitter  
Saturatuion Voltage  
VCE(sat)  
0.25  
V
IC=100mA, I B=10mA  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
VCE=1V, IC=10mA  
VCE=1V, IC=100mA  
100  
100  
hFE  
DC Current Gain  
DIMENSIONS  
VCE=2V, IC=20mA,  
f=100MHz  
INCHES  
MM  
fT  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Gain Bandwidth Product  
100  
MHz  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=1mA, I B=0  
80  
4
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
E
u
IE=100 A, IC=0  
Straight Lead  
Bent Lead  
G
Base-Emitter ON  
Voltage  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
VBE(ON)  
1.2  
V
IC=10mA, IB =1mA  
Note: Valid provided that leads are kept at ambient temperature.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA06APM CENTRAL

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