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MPSA05RA

更新时间： 2024-11-22 11:15:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 156K
描述
NPN Bipolar Small Signal Transistor

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MPSA05RA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：1.04最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

MPSA05RA 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
NPN General-Purpose  
Amplifier  
MPSA05  
1.  
2.  
3.  
Emitter  
Base  
Collector  
1
2
Features  
3
• This Device is Designed for General−Purpose Amplifier Applications  
at Collector Currents to 300 mA  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
TO−92−3  
CASE 135AR  
Bent Lead  
Tape & Reel  
MAXIMUM RATINGS  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Parameter  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Value  
60  
Unit  
V
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
AMP  
SA05  
YWW  
60  
V
Emitter−Base Voltage  
4.0  
500  
V
I
C
Collector Current − Continuous  
Junction and Storage Temperature  
mA  
_C  
−55 to +150  
T , T  
J
STG  
A
= Assembly Location  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
MPSA05 = Specific Device Code  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
†
Symbol  
Parameter  
Max.  
625  
5.0  
Unit  
mW  
Device  
Package  
Shipping  
P
D
Total Device Dissipation  
MPSA05RA  
TO−92 3L  
2000 /  
Tape & Reel  
mW/_C  
_C/W  
Derate Above 25_C  
†For information on tape and reel specifications, in-  
cluding part orientation and tape sizes, please refer  
to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
R
Thermal Resistance,  
83.3  
200  
θ
θ
JC  
Junction−to−Case  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
_C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Conditions  
I = 1 mA, I = 0  
C
Min.  
60  
4
Max.  
−
Unit  
V
V
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)  
Emitter−Base Breakdown Voltage  
Collector Cut−Off Current  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
B
V
I = 100 μA, I = 0  
−
V
E
C
I
I
V
CE  
= 60 V, I = 0  
−
0.1  
0.1  
−
μA  
μA  
CEO  
B
Collector Cut−Off Current  
V
CB  
= 60 V, I = 0  
−
CBO  
E
h
FE  
DC Current Gain  
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
= 10 mA, V = 1.0 V  
100  
100  
−
CE  
= 100 mA, V = 1.0 V  
−
CE  
V
CE  
(sat)  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
Base−Emitter On Voltage  
= 100 mA, I = 10 mA  
0.25  
1.2  
−
V
V
B
V
BE  
(on)  
= 100 mA, V = 1.0 V  
−
CE  
f
T
Current Gain − Bandwidth Product  
= 10 mA, V = 2 V, f = 100 MHz  
100  
MHz  
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2%.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2022  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 2  
MPSA05−FSC/D  
 
123

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MPSA05RA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA05RA FAIRCHILD

类似代替

 NPN Medium Power Transistor, 3LD, TO-92, MOLDED, 0.200 IN LINE SPACING LD FORM (J61Z OPTIO

与MPSA05RA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA05RL MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA05RL ONSEMI

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 		500mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
MPSA05RL1 ONSEMI

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 		500mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
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 		500mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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