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MPS855

更新时间: 2024-11-18 19:57:47
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,TO-92

MPS855 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):85JESD-609代码:e0
极性/信道类型:PNP子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

MPS855 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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