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MPS8550S

更新时间： 2024-11-17 22:46:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 393K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

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MPS8550S 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

MPS8550S 数据手册

 浏览型号MPS8550S的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
MPS8550S  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH CURRENT APPLICATION.  
FEATURE  
E
L
B
L
Complementary to MPS8050S.  
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
C
D
E
2.93+0.20  
1.30+0.20/-0.15  
1.30 MAX  
0.45+0.15/-0.05  
2.40+0.30/-0.20  
1.90  
2
3
1
G
H
J
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
0.95  
0.13+0.10/-0.05  
0.00 ~ 0.10  
0.55  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-40  
UNIT  
V
K
L
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
P
P
M
N
P
0.20 MIN  
1.00+0.20/-0.10  
7
-25  
V
-6  
V
M
Collector Current  
-1.5  
A
1. EMITTER  
2. BASE  
PC *  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
350  
mW  
Tj  
150  
3. COLLECTOR  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
* PC : Package Mounted On 99.5% Alumina (10  
8
0.6  
)
SOT-23  
Marking  
h
Rank  
FE  
Lot No.  
Type Name  
BJ  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
-
MAX. UNIT  
VCB=-35V, IE=0  
Collector Cut-off Current  
-
-
-100  
nA  
nA  
V
IEBO  
VEB=-6V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-100  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
hFE(1)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC=-100 A, IE=0  
-40  
-25  
45  
85  
40  
-
-
-
IC=-2mA, IB=0  
-
-
-
V
VCE=-1V, IC=-5mA  
VCE=-1V, IC=-100mA  
VCE=-1V, IC=-800mA  
IC=-800mA, IB=-80mA  
IC=-800mA, IB=-80mA  
VCE=-1V, IC=-10mA  
VCE=-10V, IC=-50mA  
VCB=-10V, f=1MHz, IE=0  
170  
160  
80  
hFE(2) (Note)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
DC Current Gain  
300  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
-0.28  
-0.98  
-0.66  
200  
15  
-0.5  
-1.2  
-1.0  
-
V
V
-
-
V
fT  
Transition Frequency  
100  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
Note : hFE(2) Classification B:85 160 , C : 120 200 , D : 160 300  
2003. 3. 25  
Revision No : 1  
1/2  
12

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