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MPS8050S

更新时间： 2024-09-14 22:46:03

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KEC		晶体晶体管光电二极管局域网
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2页	394K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

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MPS8050S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	190 MHz
Base Number Matches：	1

MPS8050S 数据手册

SEMICONDUCTOR

MPS8050S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT APPLICATION.

FEATURE

Complementary to MPS8550S.

DIM MILLIMETERS

2.93+0.20

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.45+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

Collector Current

1.5

1. EMITTER

2. BASE

P_C*

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

350

T_j

150

3. COLLECTOR

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

* P_C: Package Mounted On 99.5% Alumina (10

0.6

)

SOT-23

Marking

Rank

Lot No.

Type Name

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX. UNIT

V_CB=35V, I_E=0

Collector Cut-off Current

100

I_EBO

V_EB=6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

h_FE(1)

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C=100 A, I_E=0

I_C=2mA, I_B=0

V_CE=1V, I_C=5mA

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=1V, I_C=800mA

I_C=800mA, I_B=80mA

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=50mA

V_CB=10V, f=1MHz, I_E=0

135

160

110

0.28

0.98

0.66

190

h_FE(2) (Note)

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

DC Current Gain

300

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

0.5

1.2

1.0

f_T

Transition Frequency

100

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(2) Classification B:85 160 , C : 120 200 , D : 160 300

2003. 3. 25

Revision No : 1

1/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS8050SC	KEC	获取价格	SOT-23(1)
MPS8093	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8093C	VISHAY	获取价格	Transistor,
MPS8093RL	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8093RL1	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS8093RLRB	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8093RLRE	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS8093RLRF	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS8093RLRM	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS8093RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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