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MPS650RL1

更新时间： 2024-11-08 21:07:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 342K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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MPS650RL1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.24其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：75 MHz
Base Number Matches：1

MPS650RL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
COLLECTOR  
3
2
2
BASE  
BASE  
NPN  
PNP  
Voltage and current are  
1
1
negative for PNP transistors  
EMITTER  
EMITTER  
*Motorola Preferred Devices  
MAXIMUM RATINGS  
MPS650  
MPS651  
MPS750  
MPS751  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CE  
V
CB  
V
EB  
40  
60  
60  
80  
5.0  
2.0  
1
2
3
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
200  
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
40  
60  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc, I = 0 )  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
60  
80  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0, I = 10 µAdc)  
V
5.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
C
E
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
MPS650, MPS750  
MPS651, MPS751  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
0.1  
µAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–529  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS650RLRA ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
MPS650RLRA MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPS650RLRAG ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
MPS650RLRAG ROCHESTER

获取价格

 		2000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
MPS650RLRB MOTOROLA

获取价格

 		2000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS650RLRE MOTOROLA

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 		2000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		2000mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPS650RLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPS650TRB CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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