MPS3563

更新时间： 2024-11-25 22:46:03

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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Amplifier Transistors(NPN Silicon)

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MPS3563 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.7 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1500 MHz
Base Number Matches：	1

MPS3563 数据手册

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MPS918/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

*Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

MPS918

MPS3563

Unit

Vdc

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

CEO

CBO

EBO

Vdc

3.0

2.0

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

350

2.8

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

0.85

6.8

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

(1)

Max

357

147

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(2)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 3.0 mAdc, I = 0)

MPS918

MPS3563

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 1.0 Adc, I = 0)

Vdc

(BR)CBO

MPS918

MPS3563

—

(I = 100 Adc, I = 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

(BR)EBO

MPS918

MPS3563

3.0

2.0

—

Collector Cutoff Current

(V = 15 Vdc, I = 0)

nAdc

CBO

MPS918

MPS3563

—

1. R

is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

2. Pulse Test: Pulse Width

300 s; Duty Cycle

1.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS3563C	VISHAY	获取价格	Transistor,
MPS3563G	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors NPN Silicon
MPS3563RL	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3563RL1	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
MPS3563RL1	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AL, 3 PIN, BIP RF S
MPS3563RLRA	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors NPN Silicon
MPS3563RLRA	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3563RLRAG	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors NPN Silicon
MPS3563RLRB	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3563RLRE	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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