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MPS3563RLRP PDF预览

MPS3563RLRP

更新时间： 2024-11-26 20:41:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AL, 3 PIN

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MPS3563RLRP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.7 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

MPS3563RLRP 数据手册

 浏览型号MPS3563RLRP的Datasheet PDF文件第2页 
ON Semiconductort  
MPS918*  
MPS3563  
*ON Semiconductor Preferred Device  
Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
MPS918  
15  
MPS3563  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
12  
30  
30  
Vdc  
3.0  
2.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
50  
mAdc  
1
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.85  
6.8  
Watts  
mW/°C  
CASE 29–10, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AL)  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
COLLECTOR  
3
Symbol  
Max  
357  
147  
Unit  
°C/W  
°C/W  
(1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
2
R
q
JC  
BASE  
1
EMITTER  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(2)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 3.0 mAdc, I = 0)  
MPS918  
MPS3563  
15  
12  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
Vdc  
Vdc  
MPS918  
MPS3563  
30  
30  
—
—
C
E
(I = 100 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
MPS918  
MPS3563  
3.0  
2.0  
—
—
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
CBO  
MPS918  
MPS3563  
—
—
10  
50  
CB  
E
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
q
JA  
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 1.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
853  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MPS918/D  
12

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