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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MPS3563G
MPS3563G PDF预览

MPS3563G

更新时间： 2024-11-26 04:14:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Amplifier Transistors NPN Silicon

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MPS3563G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.7 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1500 MHzBase Number Matches：1

MPS3563G 数据手册

 浏览型号MPS3563G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPS3563G的Datasheet PDF文件第3页 
MPS918, MPS3563  
MPS918 is a Preferred Device  
Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
BASE  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
MPS918  
MPS3563  
15  
12  
1
EMITTER  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Vdc  
Vdc  
MPS918  
MPS3563  
30  
30  
MARKING  
DIAGRAM  
MPS918  
MPS3563  
3.0  
2.0  
Collector Current − Continuous  
I
50  
mAdc  
C
MPS  
xxxx  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
D
AYWW G  
Derate above 25°C  
TO−92  
CASE 29−11  
STYLE 1  
G
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
0.85  
6.8  
W
mW/°C  
1
C
D
2
Derate above 25°C  
3
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
MPSxxxx = Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
xxxx = 918 or 3563  
= Assembly Location  
Symbol  
Max  
Unit  
A
Y
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
357  
°C/W  
q
JA  
WW  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
147  
°C/W  
(Note: Microdot may be in either location)  
JC  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
1. R  
is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
q
JA  
MPS918  
TO−92  
5000 Units/Box  
5000 Units/Box  
MPS918G  
TO−92  
(Pb−Free)  
MPS3563  
TO−92  
5000 Units/Box  
5000 Units/Box  
MPS3563G  
TO−92  
(Pb−Free)  
MPS3563RLRA  
TO−92  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
MPS3563RLRAG  
TO−92  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 3  
MPS918/D  
 
123

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