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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.05 |
| Is Samacsys： | N | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPF102_04 | FAIRCHILD |
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N-Channel RF Amplifier |
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| MPF102_06 | ONSEMI |
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JFET VHF Amplifier |
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| MPF102D26Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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| MPF102D27Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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| MPF102D74Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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| MPF102D75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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| MPF102G | ONSEMI |
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JFET VHF Amplifier |
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| MPF102J05Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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| MPF102J18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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| MPF102L34Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-9 |
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