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MPC2106CDG66

更新时间： 2024-10-28 22:46:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
18页 233K
描述
512KB and 1MB BurstRAM Secondary Cache Modules for PowerPC PReP/CHRP Platforms

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MPC2106CDG66 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIMM, DIMM178,75
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：9 ns
其他特性：ADDITIONAL SUPPLY 4.75V TO 5.25VI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDMA-N178内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端子数量：178
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM178,75
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL电源：3.3,5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.64 A
最小待机电流：4.75 V子类别：SRAMs
最大压摆率：1.8 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.9 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MPC2106CDG66 数据手册

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by MPC2105C/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
MPC2105C  
MPC2106C  
512KB and 1MB BurstRAM  
Secondary Cache Modules for  
PowerPC PReP/CHRP Platforms  
The MPC2105C and the MPC2106C are designed to provide burstable, high  
performance L2 cache for the PowerPC 60x microprocessor family in conformance  
with the PowerPC Reference Platform (PReP) and the PowerPC Common Hardware  
Reference Platform (CHRP) specifications.  
178–LEAD CARD EDGE  
TOP VIEW  
MPC2105C CASE 1132A–01  
MPC2106C CASE 1132–01  
The MPC2105C and MPC2106C utilize synchronous BurstRAMs. The modules  
are configured as 64K x 72, and 128K x 72 bits in a 178 (89 x 2) pin DIMM format.  
The MPC2105C uses four of the 3 V 64K x 18; the MPC2106C uses eight of the 3  
V 64K x 18. For tag bits, a 5 V cache tag RAM configured as 16K x 12 for tag field plus  
16K x 2 for valid and dirty status bits is used.  
1
Bursts can be initiated with the ADS signal. Subsequent burst addresses are  
generated internal to the BurstRAM by the CNTEN signal.  
Write cycles are internally self timed and are initiated by the rising edge of the clock  
(CLKx) inputs. Eight write enables are provided for byte write control.  
Presence detect pins are available for auto configuration of the cache control.  
The module family pinout will support 5 V and 3.3 V components for a clear path  
to lower voltage and power savings. Both power supplies must be connected.  
All of these cache modules are plug and pin compatible with each other.  
24  
25  
•
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•
PowerPC–style Burst Counter on Chip  
Flow–Through Data I/O  
Plug and Pin Compatibility  
Multiple Clock Pins for Reduced Loading  
All Cache Data and Tag I/Os are LVTTL (3.3 V) Compatible  
Three State Outputs  
47  
48  
Byte Write Capability  
Fast Module Clock Rates: Up to 66 MHz  
Fast SRAM Access Times: 10 ns for Tag RAM Match  
9 ns for Data RAM  
•
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•
Decoupling Capacitors for Each Fast Static RAM  
High Quality Multi–Layer FR4 PWB With Separate Power and Ground Planes  
178 Pin Card Edge Module  
Burndy Connector, Part Number: ELF178KSC–3Z50  
89  
The PowerPC name is a trademark of IBM Corp., used under license therefrom.  
10/14/97  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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