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MP6KE8.2CA

更新时间： 2024-11-23 18:44:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	470K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.02V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, T-18, 2 PIN

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MP6KE8.2CA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, T-18, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.58	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	8.61 V	最小击穿电压：	7.79 V
击穿电压标称值：	8.2 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	12.1 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.47 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	7.02 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MP6KE8.2CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.02V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MP6KE8.2CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.02V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MP6KE8.2CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE8.2CATR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE82A	MICROSEMI	获取价格	600W Transient Voltage Suppressor
MP6KE82A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
MP6KE82AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MP6KE82AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MP6KE82AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE82ATR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN