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MP6KE82AE3

更新时间： 2024-11-19 18:44:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	470K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

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MP6KE82AE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	86.1 V
最小击穿电压：	77.9 V	击穿电压标称值：	82 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	113 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.47 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70.1 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MP6KE82AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MP6KE82AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE82ATR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE82CA	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MP6KE82CA/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MP6KE82CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MP6KE82CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 70.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MP6KE82CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE82CATR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE9.1A	MICROSEMI	获取价格	600W Transient Voltage Suppressor