5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.07 | Is Samacsys： | N |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 快速连接描述： | 2G | 螺丝端子的描述： | A-K-AK |
| 最大漏电流： | 30 mA | 通态非重复峰值电流： | 6800 A |
| 最大通态电压： | 1.3 V | 最大通态电流： | 175000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MP03HBT175-16 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1600V V(RRM), |
|
| MP03HBT190-08 | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 800V V(RRM), |
|
| MP03HBT190-10 | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1000V V(RRM), |
|
| MP03HBT190-12 | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1200V V(RRM), |
|
| MP03HBT275-16 | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 277000mA I(T), 1600V V(RRM), |
|
| MP03HBT275-22 | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 430A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 2 Element |
|
| MP03HBT275-22 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 277000mA I(T), 2200V V(RRM), |
|
| MP03HBT300-10 | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, MP03, 7 |
|
| MP03HBT300-10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 312000mA I(T), 1000V V(RRM), |
|
| MP03HBT300-12 | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MP03, 7 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
