5秒后页面跳转
MP03HBT330-10 PDF预览

MP03HBT330-10

更新时间: 2024-01-08 23:53:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
10页 405K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 334000mA I(T), 1000V V(RRM),

MP03HBT330-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 V快速连接描述:2G
螺丝端子的描述:A-K-AK最大漏电流:30 mA
通态非重复峰值电流:10600 A最大通态电压:1.5 V
最大通态电流:334000 A最高工作温度:130 °C
最低工作温度:-40 °C重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型:SCR

MP03HBT330-10 数据手册

 浏览型号MP03HBT330-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MP03HBT330-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MP03HBT330-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MP03HBT330-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MP03HBT330-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MP03HBT330-10的Datasheet PDF文件第7页 

与MP03HBT330-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MP03HBT360-08 ZARLINK

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 800V V(RRM),
MP03HBT360-08 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 800V V(RRM),
MP03HBT360-08 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBT360-10 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBT360-10 ZARLINK

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1000V V(RRM),
MP03HBT360-10 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1000V V(RRM),
MP03HBT360-12 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBT360-12 ZARLINK

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1200V V(RRM),
MP03HBT360-14 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module
MP03HBT360-16 DYNEX

获取价格

Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module