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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.07 |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 快速连接描述： | 2G | 螺丝端子的描述： | A-K-AK |
| 最大漏电流： | 30 mA | 通态非重复峰值电流： | 10600 A |
| 最大通态电压： | 1.5 V | 最大通态电流： | 312000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 重复峰值反向电压： | 1400 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MP03HBT300-16 | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, MP03, 7 |
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| MP03HBT300-16 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 312000mA I(T), 1600V V(RRM), |
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| MP03HBT330-10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 334000mA I(T), 1000V V(RRM), |
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| MP03HBT330-10 | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 524A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, MP03, 7 |
|
| MP03HBT360-08 | ZARLINK |
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Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 800V V(RRM), |
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| MP03HBT360-08 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 800V V(RRM), |
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| MP03HBT360-08 | DYNEX |
获取价格 |
Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module |
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| MP03HBT360-10 | DYNEX |
获取价格 |
Dual Thyristor, Thyristor/Diode Module |
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| MP03HBT360-10 | ZARLINK |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1000V V(RRM), |
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| MP03HBT360-10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 1000V V(RRM), |
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