5秒后页面跳转
MP03HBT275-22 PDF预览

MP03HBT275-22

更新时间: 2024-02-20 19:55:14
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
10页 376K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 277000mA I(T), 2200V V(RRM),

MP03HBT275-22 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 V快速连接描述:2G
螺丝端子的描述:A-K-AK最大漏电流:30 mA
通态非重复峰值电流:8100 A最大通态电压:1.65 V
最大通态电流:277000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C重复峰值反向电压:2200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

MP03HBT275-22 数据手册

 浏览型号MP03HBT275-22的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MP03HBT275-22的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MP03HBT275-22的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MP03HBT275-22的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MP03HBT275-22的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MP03HBT275-22的Datasheet PDF文件第7页 

与MP03HBT275-22相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MP03HBT300-10 DYNEX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, MP03, 7
MP03HBT300-10 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 312000mA I(T), 1000V V(RRM),
MP03HBT300-12 DYNEX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MP03, 7
MP03HBT300-12 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 312000mA I(T), 1400V V(RRM),
MP03HBT300-14 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 312000mA I(T), 1400V V(RRM),
MP03HBT300-16 DYNEX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, MP03, 7
MP03HBT300-16 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 312000mA I(T), 1600V V(RRM),
MP03HBT330-10 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 334000mA I(T), 1000V V(RRM),
MP03HBT330-10 DYNEX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 524A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, MP03, 7
MP03HBT360-08 ZARLINK

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 352000mA I(T), 800V V(RRM),