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MMSD4448 PDF预览

MMSD4448

更新时间： 2024-11-20 22:30:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 信号二极管
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
Small Signal Diode

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MMSD4448 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOD-123
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMSD4448 数据手册

 浏览型号MMSD4448的Datasheet PDF文件第2页 
June 2005  
MMSD4448  
Small Signal Diode  
SOD123  
Color Band Denotes Cathode  
Top Marking: 10  
Absolute Maximum Ratings *  
T
= 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
100  
Unit  
V
V
RRM  
F(AV)  
FSM  
I
I
200  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
T
T
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
150  
°C  
°C  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
400  
Unit  
mW  
P
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
312  
°C/W  
θJA  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
I
= 5.0µA  
= 100µA  
75  
100  
V
R
R
R
Forward Voltage  
Reverse Leakage  
I
I
= 5mA  
= 100mA  
0.62  
0.72  
1.0  
V
V
F
F
F
I
V
V
V
= 20V  
= 20V, T = 150°C  
= 75V  
25  
50  
5.0  
nA  
µA  
µA  
R
R
R
R
A
C
Total Capacitance  
V
= 0, f = 1.0MHz  
2.0  
4.0  
pF  
ns  
T
R
t
Reverse Recovery Time  
I
I
= 10mA, V = 6.0V,  
R
rr  
F
rr  
= 1.0mA, R = 100Ω  
L
V
Peak Forward Recovery Voltage  
I
= 50mA, pw = 0.1µs  
2.5  
V
F(peak)  
F
rep rate: 5 to 10KHz  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMSD4448 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12

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