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MMSD914 PDF预览

MMSD914

更新时间： 2024-02-27 08:36:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 25K
描述
High Conductance Fast Diode

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MMSD914 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.04Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MMSD914 数据手册

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MMSD914  
General Description:  
Features:  
The high breakdown voltage, fast switching speed and high  
forward conductance of this diode packaged in a SOD-123  
Surface Mount package makes it desirable also as a general  
purpose diode.  
• Compact surface mount with same footprint as mini-melf.  
• 400 milliwatt Power Dissipation package.  
• High Breakdown Voltage, Fast Switching Speed.  
• Typical capacitance less than 1.5 picofarad.  
Ordering:  
• 7 inch reel (178 mm); 8 mm Tape; 3,000 units per reel.  
High Conductance  
Fast Diode  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25OC unless otherwise noted  
Sym  
Parameter  
Value  
Units  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature  
-55 to +150  
OC  
OC  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
400  
PD  
Total Power Dissipation at TA = 25OC  
Linear Derating Factor from TA = 25OC  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
Working Inverse Voltage  
W
3.2  
mW/OC  
OC/W  
V
ROJA  
Wiv  
IO  
312  
75  
Average Rectified Current  
200  
mA  
IF  
DC Forward Current (IF)  
600  
mA  
iF(surge)  
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 Second  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
1.0  
Amp  
Amp  
2.0  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired  
ELECTRICALLY THE SAME AS  
THE FDLL914 DEVICE. SOURCED  
FROM THE 1P PRODUCT.  
Top Mark: 5D  
Actual Size  
Electrical Characteristics  
TA = 25OC unless otherwise noted  
SYM  
CHARACTERISTICS  
MIN  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
BV  
Breakdown Voltage  
100  
75  
V
V
IR = 100 uA  
IR  
=
5.0 uA  
IR  
Reverse Leakage  
25  
50  
5.0  
nA  
uA  
uA  
VR  
VR  
=
=
20 V  
20 V TA = 150OC  
VR = 75 V  
VF  
CT  
Forward Voltage  
Capacitance  
1.0  
4.0  
4.0  
V
IF  
=
=
10 mA  
pF  
ns  
VR  
0.0 V,f = 1.0 MHz  
TRR Reverse Recovery Time  
IF = 10 mA VR = 6.0 V  
IRR 1.0 mA  
RL = 100 Ohms  
=
MMSD914 - Rev. A  
© 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MMSD914_05 FAIRCHILD Small Signal Diode

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