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MMPQ3904R1 PDF预览

MMPQ3904R1

更新时间： 2024-02-07 22:08:40
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Quad Amplifier/Switch Transistor, SOIC 16 LEAD, 500-REEL

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MMPQ3904R1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：CASE 751B-05, SOIC-16
针数：16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.29最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：75JESD-30 代码：R-PDSO-G16
元件数量：4端子数量：16
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ3904R1 数据手册

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ON Semiconductort  
Quad Amplifier/Switch  
Transistor  
NPN Silicon  
MMPQ3904  
ON Semiconductor Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
16  
V
60  
Vdc  
CB  
EB  
1
V
6.0  
Vdc  
CASE 751B–05, STYLE 4  
SO–16  
Collector Current — Continuous  
I
C
200  
mAdc  
Four  
Each  
Transistors  
Transistor  
Equal Power  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
0.4  
3.2  
800  
6.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation  
P
Watts  
D
@ T = 25°C  
0.66  
5.3  
1.92  
15.4  
C
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C  
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
(1)  
V
40  
60  
6.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50  
50  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 40 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
MMPQ3904/D  
1234

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MMPQ3904R1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MMPQ3906L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16

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