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MMPQ3906R1G

更新时间： 2024-02-05 12:33:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 145K
描述
200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16

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MMPQ3906R1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：CASE 751B-05, SOP-16
针数：16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.3最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：75JESD-30 代码：R-PDSO-G16
元件数量：4端子数量：16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

MMPQ3906R1G 数据手册

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MMPQ3906  
Preferred Device  
Quad Amplifier/Switch  
Transistor  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
−40  
Unit  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO  
V
−40  
Vdc  
CB  
EB  
V
−5.0  
−200  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
C
mAdc  
Each  
Transistor  
Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
P
200  
3.2  
mW  
mW/°C  
A
D
16  
Power Dissipation @ T = 25°C  
0.66  
5.3  
Watts  
mW/°C  
C
D
Derate above 25°C  
1
Four  
Transistors  
Equal Power  
SO−16  
CASE 751B  
STYLE 4  
Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
P
800  
6.4  
mW  
mW/°C  
A
D
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation @ T = 25°C  
1.92  
15.4  
Watts  
mW/°C  
C
D
Derate above 25°C  
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
MMPQ3906  
AWLYWW  
MMPQ3906 = Specific Device Code  
A
WL  
Y
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MMPQ3906  
Package  
Shipping  
48 Units/Rail  
SO−16  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 4  
MMPQ3906/D  
1234

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与MMPQ3906R1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMPQ3906R2 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SO-16
MMPQ3906R2 ONSEMI

获取价格

 		Quad Amplifier/Switch Transistor
MMPQ3906R2G ONSEMI

获取价格

 		200mA, 40V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOP-16
MMPQ3906S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, SOIC-16
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MMPQ6502D84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, S
MMPQ6502L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, S

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