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MMPQ6700L86Z

更新时间： 2024-02-26 04:23:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 191K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, SOIC-16

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MMPQ6700L86Z 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G16元件数量：4
端子数量：16最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

MMPQ6700L86Z 数据手册

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MMPQ6700  
B4  
E4  
B3  
E3  
B2  
E2  
B1  
E1  
C4  
C4  
C3  
C3  
C2  
C2  
C1  
SOIC-16  
Mark: MMPQ6700  
C1  
pin #1  
TRANSISTOR TYPE  
C1 B1 E1  
C3 B3 E3  
&
&
C2 B2 E2  
C4 B4 E4  
NPN  
PNP  
Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier  
These complementary devices can be used in switches with collector currents of 10 µA to  
100 mA. These devices are best used when space is the primary consideration. Sourced  
from Process 23 & 66. See 2N3904 (NPN) & 2N3906 (PNP) for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
4
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
40  
V
V
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
200  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
°
C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
MMPQ6700  
PD  
Total Device Dissipation  
1000  
8.0  
mW  
mW/°C  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
RθJA  
125  
240  
°C/W  
°C/W  
Each Die  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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