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MMPQ6842R2

更新时间： 2024-02-22 08:56:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
22页 298K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-16, BIP General Purpose Small Signal

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MMPQ6842R2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ6842R2 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
1
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
NPN/PNP Silicon  
2
3
4
5
6
7
8
Voltage and current are negative  
for PNP transistors  
16  
1
CASE 751B–05, STYLE 4  
SO–16  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
30  
Vdc  
V
EB  
4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
200  
mAdc  
Four  
Each  
Transistors  
Transistor  
Equal Power  
Total Power Dissipation  
P
D
Watts  
@ T = 25°C  
0.4  
3.2  
0.72  
6.4  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
Total Power Dissipation  
P
Watts  
D
@ T = 25°C  
0.66  
5.3  
1.92  
15.4  
C
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C  
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
V
30  
30  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50  
50  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 3.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–443  
1234567...22

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