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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMPQ6502D84Z | TI |
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500mA, 30V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMPQ6502D84Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, S |
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| MMPQ6502L86Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, S |
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| MMPQ6502L86Z | TI |
获取价格 |
500mA, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMPQ6502L99Z | TI |
获取价格 |
500mA, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMPQ6502L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, S |
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| MMPQ6502LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, S |
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| MMPQ6502PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| MMPQ6502S62Z | TI |
获取价格 |
500mA, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMPQ6700 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier |
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