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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMPQ6700
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MMPQ6700

更新时间： 2024-01-09 09:59:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 186K
描述
Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier

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MMPQ6700 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：0.2 A最小直流电流增益 (hFE)：30
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

MMPQ6700 数据手册

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MMPQ6700  
B 4  
E4  
B3  
E3  
B2  
E2  
B1  
E1  
4
C
C 4  
C3  
C 3  
C 2  
C2  
C1  
C1  
SOIC-16  
TRANSISTOR TYPE  
NPN  
PNP  
C1 B1 E1  
C3 B3 E3  
&
&
C2 B2 E2  
C4 B4 E4  
Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier  
These complimentary devices can be used in switches with collector currents of 10  
µA to 100 mA. These devices are best used when space is the primary consideration.  
Sourced from Process 23 & 66. See 2N3904 (NPN) & 2N3906 (PNP) for characteris-  
tics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
40  
V
V
5.0  
V
Collector Current - Continuous  
200  
mA  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
MMPQ6700  
PD  
Total Device Dissipation  
1000  
8.0  
mW  
mW/°C  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
RθJA  
125  
240  
°C/W  
°C/W  
Each Die  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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