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MMPQ3904L86Z

更新时间： 2024-02-14 17:44:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, SOIC-16

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MMPQ3904L86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	元件数量：	4
端子数量：	16	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	175 ns
最大开启时间（吨）：	38 ns	Base Number Matches：	1

MMPQ3904L86Z 数据手册

FMB3904

FFB3904

MMPQ3904

SC70-6

Mark: .1A

pin #1

NOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin

4 are interchangeable. Units inside the carrier can

be of either orientation and will not affect the

functionality of the device.

pin #1

SOIC-16

Mark: MMPQ3904

SuperSOT -6

Mark: .1A

Dot denotes pin #1

NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier

This device is designed as a general purpose amplifier and switch.

The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to

100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous

200

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

FFB3904

FMB3904

MMPQ3904

P_D

R_θJA

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Effective 4 Die

300

2.4

415

700

5.6

180

1,000

8.0

mW/°C

°C/W

125

240

Each Die

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMPQ3904L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, SOIC-16
MMPQ3904PBFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
MMPQ3904R1	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 751B-05, SO-16
MMPQ3904R1	ONSEMI	获取价格	Quad Amplifier/Switch Transistor, SOIC 16 LEAD, 500-REEL
MMPQ3904R1G	ONSEMI	获取价格	200mA, 40V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOIC-16
MMPQ3904R2	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
MMPQ3904R2G	ONSEMI	获取价格	200mA, 40V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOIC-16
MMPQ3906	ONSEMI	获取价格	Quad Amplifier/Switch Transistor PNP Silicon
MMPQ3906	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT PNP SILICON QUAD TRANSISTOR
MMPQ3906	FAIRCHILD	获取价格	PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

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