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MMO175-12IO7

更新时间： 2024-11-06 20:02:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	79K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE-8

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MMO175-12IO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
配置：	ANTI-PARALLEL, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	快速连接描述：	0
螺丝端子的描述：	0	最大维持电流：	200 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X8	JESD-609代码：	e4
最大漏电流：	5 mA	元件数量：	2
端子数量：	8	最大通态电流：	80000 A
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	125 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

MMO175-12IO7 数据手册

MMO 175

MLO 175

I_RMS= 175 A

V_RRM= 800-1600 V

AC Controller Modules

Preliminary Data

W1C

V_RSM

V_DSM

V_RRM

V_DRM

Type

I / H

G / F

800

1200 1200

1600 1600

800

MMO 175-08io7

MMO 175-12io7

MMO 175-16io7

MLO 175-08io7

MLO 175-12io7

MLO 175-16io7

W1H

G / F

I / H

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

I_RMS

I_TRMS

I_TAVM

T_C= 85°C, 50 - 400 Hz, (per single controller)

T_C= 85°C; 180° sine

175

125

• Thyristor controller for AC (circuit

W1C acc. to IEC) for mains frequency

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar glass passivated chips

• Low forward voltage drop

I_TSM

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1500

1600

• Lead suitable for PC board solering

T_VJ= 125°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1350

1450

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

11200

10750

A²s

Applications

• Switching and control of single and

three phase AC circuits

• Light and temperature control

• Softstart AC motor controller

• Solid state switches

T_VJ= 125°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

9100

8830

A²s

(di/dt)_cr

T_VJ= 125°C

f = 50 Hz, t_P= 200 µs

repetitive, I_T= 80 A

150

A/µs

V_D= ²/₃V_DRM

I_G= 0.45 A

di_G/dt = 0.45 A/µs

non repetitive, I_T= I_TAVM

500

A/µs

V/µs

Advantages

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling

(dv/dt)_cr

P_GM

T_VJ= 125°C; V_DR= ²/₃V_DRM

R_GK= ¥; method 1 (linear voltage rise)

1000

T_VJ= 125°C

I_T= I_TAVM

t_p= 30 µs

t_p= 300 µs

• High power density

• Small and light weight

P_GAVM

V_RGM

0.5

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque (M4)

typ.

1.5...2.0/14...18 Nm/lb.in.

Weight

Data according to IEC 60747 and to a single thyristor/diode unless otherwise stated.

1 - 2

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