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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 最长访问时间： | 55 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMCP-67201L-40/883 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 512X9, 40ns, Asynchronous, CMOS, 0.300 INCH, SIDEBRAZED-28 |
|
| MMCP-67204E-40/883 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| MMCP-67204E-50/883 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| MMCP-67204E-50/SC | MICROCHIP |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| MMCP-67204EV-50 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| MMCP-67204FV-15 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| MMCP-67204FV-30/883 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| MMCP-67204HV-15-E | ATMEL |
获取价格 |
Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO |
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| MMCP-67205L-25 | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
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| MMCP-67205L-25/883 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, |
|
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