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MMBZ5257B

更新时间： 2024-09-14 20:19:51

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EIC		测试二极管
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Zener Diode,

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MMBZ5257B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.35 W
参考标准：	TS 16949	标称参考电压：	33 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	3.8 mA	Base Number Matches：	1

MMBZ5257B 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

SILICON PLANAR ZENER DIODE

SOT-23

MMBZ5221B ~ MMBZ5261B

0.100

0.013

1.40

0.95

0.50

0.35

FEATURES :

3.10

2.70

* Zener Breakdown Voltage Range 2.4 V to 47 V

* Package Designed for Optimal Automated

Board Assembly

0.19

0.08

* Small Package Size for High Density Applications

* Pb / RoHS Free

1.02

0.89

2.04

1.78

MECHANICAL DATA :

* Case : SOT-23 plastic Case

bottom view

Dimensions in millimeters

Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25 °C )

RATING

SYMBOL

UNIT

VALUE

P_D

R_ӨJA

T_J

°C/W

°C

Power Dissipation

350

417

Thermal Resistance, Jucntion to Ambient Air

Junction Temperature

150

T_STG

°C

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

Page 1 of 2

Rev. 00 : March 22, 2007

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