MMBZ18VALT3G

更新时间： 2024-09-24 22:25:11

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安森美 - ONSEMI		瞬态抑制器二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	73K
描述
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

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MMBZ18VALT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	18.9 V	最小击穿电压：	17.1 V
击穿电压标称值：	18 V	最大钳位电压：	25 V
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值反向功率耗散：	40 W
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	14.5 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MMBZ18VALT3G 数据手册

MMBZ5V6ALT1 Series

Preferred Device

24 and 40 Watt Peak Power

Zener Transient Voltage

Suppressors

SOT−23 Dual Common Anode Zeners

for ESD Protection

http://onsemi.com

These dual monolithic silicon Zener diodes are designed for

applications requiring transient overvoltage protection capability. They

are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as

computers, printers, business machines, communication systems,

medical equipment and other applications. Their dual junction common

anode design protects two separate lines using only one package. These

devices are ideal for situations where board space is at a premium.

MARKING

DIAGRAM

Features

SOT−23

CASE 318

STYLE 12

xxx

• Pb−Free Packages are Available

• SOT−23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional

Configurations or a Single Bidirectional Configuration

• Working Peak Reverse Voltage Range − 3 V to 26 V

xxx = Device Code

= Date Code

• Standard Zener Breakdown Voltage Range − 5.6 V to 33 V

• Peak Power − 24 or 40 Watts @ 1.0 ms (Unidirectional),

per Figure 5 Waveform

• ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the Human

Body Model

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

• Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current

• Low Leakage < 5.0 mA

• Flammability Rating UL 94 V−O

DEVICE MARKING INFORMATION

See specific marking information in the device marking

column of the table on page 3 of this data sheet.

Mechanical Characteristics

CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case

FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable

MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:

260°C for 10 Seconds

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Package designed for optimal automated board assembly

Small package size for high density applications

Available in 8 mm Tape and Reel

Use the Device Number to order the 7 inch/3,000 unit reel.

Replace the “T1” with “T3” in the Device Number to order the

13 inch/10,000 unit reel.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

August, 2004 − Rev. 7

MMBZ5V6ALT1/D

12 3 4 5 6 7 8

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MMBZ18VALT3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SM15.TG	SEMTECH	功能相似	TVS Diode Array
MMBZ20VAL	ONSEMI	功能相似	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

与MMBZ18VALT3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBZ18VALY	ROHM	获取价格	MMBZ18VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。
MMBZ18VALYFH	ROHM	获取价格	MMBZ18VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。
MMBZ18VA-T	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction
MMBZ18VAT-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction
MMBZ18VCL	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MMBZ18VCL	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diode for transient overvoltage suppressionProduction
MMBZ18VCL,215	NXP	获取价格	MMBZxVCL; MMBZxVDL series - Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppres
MMBZ18VCL/DG	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MMBZ18VCL/DG,215	NXP	获取价格	TVS DIODE
MMBZ18VCLDG	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression

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