生命周期: | Transferred | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.41 |
Is Samacsys: | N | 最大击穿电压: | 21 V |
最小击穿电压: | 19 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 40 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 20 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 工作测试电流: | 1 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ20VALT1G | UMW |
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ESD/TVS 管 | |
MMBZ20VALT3 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ20VALT3G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ20VALY | ROHM |
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MMBZ20VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ20VALYFH | ROHM |
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MMBZ20VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ20VA-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ20VAT-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ20VAWT1G | ONSEMI |
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齐纳保护,40 瓦峰值功率 | |
MMBZ20VCHE3 | MCC |
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Tape:3K/Reel,120K/Ctn; |