是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | Factory Lead Time: | 19 weeks |
风险等级: | 5.49 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最大击穿电压: | 18.9 V |
最小击穿电压: | 17.1 V | 击穿电压标称值: | 18 V |
最大钳位电压: | 25 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 40 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.225 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 14.5 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ18VALT1 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ18VALT1G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ18VALT1G | UMW |
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ESD/TVS 管 | |
MMBZ18VALT3 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ18VALT3G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ18VALY | ROHM |
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MMBZ18VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ18VALYFH | ROHM |
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MMBZ18VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ18VA-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ18VAT-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ18VCL | NXP |
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Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression |