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MMBTSC4097W

更新时间： 2024-02-03 00:20:11

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBTSC4097W 数据手册

MMBTSC4097W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

0.5

Power Dissipation

P_tot

T_j

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 3 V, I_C= 10 mA

Current Gain Group

h_FE

120

180

270

390

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 20 V

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 4 V

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 100 µA

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 100 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

Transition Frequency

at V_CE= 5 V, -I_E= 20 mA, f = 100 MHz

I_CBO

I_EBO

µA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

f_T

0.6

250

6.5

MHz

Output Capacitance

at V_CB= 10 V, f = 1 MHz

C_ob

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 26/11/2007

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