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MMBTSC4226W

更新时间： 2023-12-06 20:09:25

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC4226W 数据手册

MMBTSC4226W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For VHF, UHF low noise amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

100

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：13/04/2023 Rev：02

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