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MMBTSC5084

更新时间： 2024-09-26 14:53:47

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSC5084 数据手册

MMBTSC5084

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

for low noise, high gain amplifier at VHF~UHF band.

Features

• The transistor is subdivided into two groups,

O and Y, according to its DC current gain.

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Base Current

℃

Collector Current

I_C

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 21/03/2022 Rev: 02

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