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MMBTSD1616

更新时间： 2024-09-27 14:55:39

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSD1616 数据手册

MMBTSD1616

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

High collector power dissipation.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Current

350

Power Dissipation

P_tot

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

357

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：18/01/2022 Rev：03

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