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MMBTSD1782

更新时间： 2024-02-09 15:48:43

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平晶微 - PJSEMI		/
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NPN Transistor

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MMBTSD1782 数据手册

MMBTSD1782

NPN Transistor

Features



For Switching and AF Amplifier Applications.

SOT-23

(TO-236)

As Complementary Type of the PNP Transistor

MMBTSB1198 is Recommended.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Marking:

MMBTSD1782Q:ANQ

MMBTSD1782R:ANR

Absolute Maximum Ratings

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

V_EBO

I_C

Emitter Base Voltage

Collector Current

500

200

℃

P_D

Power Dissipation

T_J

Junction Temperature

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to 150

℃

www.pingjingsemi.com

1 / 4

Revision：1.0 Mar-2019

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