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MMBTSC5343

更新时间： 2024-09-27 14:55:43

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC5343 数据手册

MMBTSC5343

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

for general small signal amplifier.

The transistor is subdivided into four groups, O, Y,

G and L, according to its DC current gain.

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Current

150

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 + 150

Characteristics at T_amb=25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 6 V, I_C= 1 mA Current Gain Group

h_FE

140

240

400

700

120

200

300

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 30 V

I_CBO

I_EBO

500

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 4 V

500

Collector Base Breakdown Voltage

at I_C= 50 µA

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

f_T

Collector Emitter Breakdown Voltage

at I_C= 1 mA

Emitter Base Breakdown Voltage

at I_E= 50 µA

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

400

MHz

Transition Frequency

at V_CE= 12 V, I_C= 2 mA

180

Output Capacitance

at V_CB= 12 V, f = 1 MHz

C_ob

Dated：13/08/2012 Rev：01

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