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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT2222A_NL
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MMBT2222A_NL

更新时间： 2024-09-15 13:11:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA, SOT-23, 3 PIN

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MMBT2222A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-346包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.01
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75JEDEC-95代码：TO-236AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT2222A_NL 数据手册

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MMBT2222  
NPN General Purpose Amplifier  
•
Sourced from process 19.  
C
E
SOT-23  
B
Mark: 1B  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
60  
V
CBO  
EBO  
5.0  
V
I
- Continuous  
0.6  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
°C  
J
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= 10mA, I = 0  
30  
60  
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 10µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
5.0  
C
I
V
V
= 50V, I = 0  
10  
10  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
= 50V, I = 0, T = 125°C  
E
a
I
Emitter Cutoff Current  
V
= 3.0V, I = 0  
10  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
I
I
I
I
= 0.1mA, V = 10V  
35  
50  
75  
100  
50  
30  
FE  
C
C
C
C
C
C
CE  
= 1.0mA, V = 10V  
CE  
= 10mA, V = 10V  
CE  
= 150mA, V = 10V *  
300  
CE  
= 150mA, V = 1.0V *  
CE  
= 500mA, V = 10V *  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 150mA, I = 15V  
0.4  
1.6  
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
C
C
B
= 500mA, I = 50V  
B
I
I
= 150mA, I = 15V  
1.3  
2.6  
C
C
B
= 500mA, I = 50V  
B
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, May 2004  
1234

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MMBT2222A_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT2222A FAIRCHILD

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