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MMBT100/L99Z

更新时间: 2024-11-21 14:19:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

MMBT100/L99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:4.5 pF集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.2 VBase Number Matches:1

MMBT100/L99Z 数据手册

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