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MMBT1010LT1 PDF预览

MMBT1010LT1

更新时间： 2024-11-20 22:51:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
PNP GENERAL PURPOSE DRIVER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

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MMBT1010LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.25 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.19 V

MMBT1010LT1 数据手册

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by MMBT1010LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Devices  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–conserving traits.  
This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy  
in general purpose driver applications. This device is housed in the SOT-23 and  
SC–59 packages which are designed for low power surface mount  
applications.  
PNP GENERAL  
PURPOSE DRIVER  
TRANSISTORS  
SURFACE MOUNT  
COLLECTOR  
•
Low V , < 0.1 V at 50 mA  
CE(sat)  
Applications  
MMBT1010LT1  
•
•
•
LCD Backlight Driver  
Annunciator Driver  
General Output Device Driver  
BASE  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
CASE 318–07, STYLE 6  
SOT-23  
V
V
(BR)CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
15  
Vdc  
(BR)CEO  
V
5.0  
Vdc  
(BR)EBO  
MSD1010T1  
Collector Current — Continuous  
I
C
100  
mAdc  
DEVICE MARKING  
MMBT1010LT1 = GLP  
MSD1010T1 = GLP  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
CASE 318D–03, STYLE 1  
SC-59  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Power Dissipation  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction Temperature  
R
θJA  
T
150  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
–55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Condition  
I = 10 mA, I = 0  
C
Min  
15  
Max  
—
Unit  
Vdc  
Vdc  
µA  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Collector-Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
V
(BR)CEO  
B
V
I
E
= 10 µA, I = 0  
5.0  
—
—
(BR)EBO  
E
I
I
V
= 20 V, I = 0  
0.1  
100  
600  
CBO  
CB  
CE  
E
V
= 10 V, I = 0  
—
µA  
CEO  
B
(2)  
h
FE1  
V
= 5 V, I = 100 mA  
300  
—
CE  
C
(2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
V
I
I
= 10 mA, I = 1.0 mA  
—
—
0.1  
0.1  
0.19  
Vdc  
CE(sat)  
C
C
B
= 50 mA, I = 5.0 mA  
B
I
C
= 100 mA, I = 10 mA  
B
(2)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
C
= 100 mA, I = 10 mA  
—
1.1  
Vdc  
BE(sat)  
B
(1) Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.  
(2) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. ≤ 2%.  
GreenLine is a trademark of Motorola, Inc. Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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与MMBT1010LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT1010LT3 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
MMBT1010T1 ONSEMI

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE DRIVER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MMBT1015 UTC

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 		LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBT1015_11 UTC

获取价格

 		LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBT1015BL(SOT-113) UTC

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 		Transistor
MMBT1015-BL-AC3-6-R UTC

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MMBT1015-BL-AC3-R UTC

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 		LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBT1015-BL-AE3-6-R UTC

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MMBT1015-BL-AE3-R UTC

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MMBT1015-BL-AL3-R UTC

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