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MMBT1015-GR-AE3-6-R

更新时间: 2024-11-25 14:53:51
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4页 199K
描述
Transistor

MMBT1015-GR-AE3-6-R 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61Base Number Matches:1

MMBT1015-GR-AE3-6-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
MMBT1015  
PNP SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY PNP  
AMPLIFIER TRANSISTOR  
„
FEATURES  
*Collector-Emitter Voltage:  
BVCEO=-50V  
*Collector current up to 150mA  
*High hFE linearity  
*Complement to MMBT1815  
*Pb-free plating product number: MMBT1015L  
„
ORDERING INFORMATION  
Order Number  
Pin Assignment  
Packing  
Package  
Normal  
Lead Free Plating  
1
E
E
E
2
B
B
B
3
C
C
C
MMBT1015-x-AC3-6-R  
MMBT1015-x-AE3-6-R  
MMBT1015-x-AN3-6-R  
MMBT1015L-x-AC3-6-R  
MMBT1015L-x-AE3-6-R  
MMBT1015L-x-AN3-6-R  
SOT-113  
SOT-23  
Tape Reel  
Tape Reel  
Tape Reel  
SOT-523  
„
MARKING  
A4  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 4  
QW-R206-015,D  

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE