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MMBD701LT1 PDF预览

MMBD701LT1

更新时间： 2024-02-14 11:39:24
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB

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MMBD701LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.65
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MMBD701LT1 数据手册

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by MBD701/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Schottky Barrier Diodes  
Motorola Preferred Devices  
These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector  
applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital  
applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low–cost,  
high–volume consumer and industrial/commercial requirements. They are also  
available in a Surface Mount package.  
70 VOLTS  
HIGH–VOLTAGE  
SILICON HOT–CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
•
•
•
•
Extremely Low Minority Carrier Lifetime – 15 ps (Typ)  
Very Low Capacitance – 1.0 pF @ V = 20 V  
R
High Reverse Voltage – to 70 Volts  
Low Reverse Leakage – 200 nA (Max)  
1
2
CASE 182–02, STYLE 1  
(TO–226AC)  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
MBD701  
MMBD701LT1  
Value  
70  
2
1
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Power Dissipation  
Symbol  
Unit  
CATHODE  
ANODE  
V
R
Volts  
P
F
J
@ T = 25°C  
280  
2.8  
200  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
3
Derate above 25°C  
Operating Junction  
Temperature Range  
T
°C  
°C  
1
–55 to +125  
–55 to +150  
2
Storage Temperature Range  
DEVICE MARKING  
MMBD701LT1 = 5H  
T
stg  
CASE 318–08, STYLE 8  
SOT–23 (TO–236AB)  
3
1
CATHODE  
ANODE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
70  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µAdc)  
V
(BR)R  
R
Total Capacitance (V = 20 V, f = 1.0 MHz) Figure 1  
C
0.5  
9.0  
0.42  
0.7  
1.0  
200  
0.5  
1.0  
R
T
Reverse Leakage (V = 35 V) Figure 3  
I
R
—
nAdc  
Vdc  
Vdc  
R
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc) Figure 4  
V
V
—
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc) Figure 4  
—
F
F
NOTE: MMBD701LT1 is also available in bulk packaging. Use MMBD701L as the device title to order this device in bulk.  
Thermal Clad is a registered trademark of the Berquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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