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MMBD717AW-T1

更新时间： 2024-02-03 08:46:31
品牌 Logo 应用领域
WTE 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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MMBD717AW-T1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.6
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：2元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：20 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MMBD717AW-T1 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
Pb  
MMBD717W / AW / CW / SW  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
!
Low Turn-on Voltage  
L
!
!
Fast Switching  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
A
!
!
Designed for Surface Mount Application  
Plastic Material – UL Recognition Flammability  
Classification 94V-O  
B
C
M
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
E
D
SOT-323  
Min  
H
G
Dim  
A
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
0.30  
Mechanical Data  
1.15  
B
!
!
Case: SOT-323, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
K
2.00  
C
0.65 Nominal  
D
J
0.30  
1.20  
1.80  
—
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
—
E
G
H
!
!
!
!
Polarity: See Diagrams Below  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
J
0.90  
0.25  
0.05  
K
L
0.15  
M
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
MMBD717W Marking: P70 MMBD717AW Marking: P72 MMBD717CW Marking: P73 MMBD717SW Marking: P74  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Forward Surge Current (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
IF  
IFSM  
200  
600  
mA  
mA  
@ t < 1.0s  
Pd  
200  
mW  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
RꢀJA  
Tj, TSTG  
625  
-55 to +150  
Note: 1. Device on fiberglass substrate.  
MMBD717W / AW / CW / SW  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD717AW-T1-LF WTE

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MMBD717AW-T3 WTE

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MMBD717C PANJIT

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